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在硅熔化前，可以向坩埚中添加硼、磷等材料，这样，拉制出的硅棒就具有与纯硅不同的电学性质。上述添加的材料被称为“杂质”，对应工艺过程被称为“掺杂”，得到的材料被称为“杂质半导体”。如果半导体材料不是硅，而是其他化合物（如砷化镓），同样可以使用直拉法来制备单晶材料。
通过上述直拉工艺制备的单晶硅是制造大积体电路的基础材料，被用于计算机、电视机、移动电话和其他各种电子设备中。
使用直拉法工艺制备单晶硅时，常用石英（主要成分为二氧化硅）坩埚作为器皿。这样做的一个不可避免的结果，就是器皿本身因为高温加热，将发生热分解，导致熔融状态硅中混入氧，其浓度的典型数量级为1018cm-3。氧杂质将带来一些好处。严格的退火工艺可以使氧沉淀下来。这些氧可以俘获半导体材料中不必要的过渡金属。除此之外，氧杂质还能够改善硅晶圆的机械强度，因为它能够固定制备流程中被引入的位错。1990年代，高浓度氧被发现能够在硅材料粒子探测器（例如欧洲核子研究组织中的大型强子对撞机项目）中用于辐射加固。因此，用这样的硅制成的辐射探测器，是将来进行高能粒子实验的理想设备。在后期的退火过程中，硅中的氧杂质也能俘获其他不必要的杂质。
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太阳圈（英语：Heliosphere）是太阳所能支配或控制的太空区域。太阳圈的边缘是一个磁性气状泡，并且远远的超出冥王星之外。从太阳"吹"出的电浆，也就是所谓的太阳风，创建和维护著这个鼓起的泡沫，并且抵抗来自银河系的氢气和氦气，也就是外面的星际物质，渗入的压力。太阳风从太阳向外流动，直到遭遇到终端震波，然后在那里突然的减速。航海家太空船积极的探测太阳圈的边界，穿越过震波和进入日鞘，为了到达太阳圈最外层的边缘，称为日球层顶的过渡区。当太阳在空间中移动时，太阳圈的整体形状是由星际物质控制的，它似乎不是一个完美的球形。以有限的资料用于未探勘过的自然界，已经推导出许多理论的架结构。
在2013年9月12日，NASA宣布航海家一号已经在2012年8月25日穿过太阳圈，当时它测量到的电浆密度突然增加了40倍。因为日鞘标志著太阳风和其余银河系的一种边界，可以说航海家一号已经离开太阳系，抵达星际空间。
除了局部地区邻近的障碍，像是行星或彗星，太阳圈内的物质都是自太阳发射出来的，然而宇宙射线和Energetic neutral atom可以从外面渗入。起源于极端高温的日冕表面，太阳风中的微粒达到逃逸速度，以每秒300至800公里（时速67万至179万英里或100万至290万公里）向外流。当它们开始与星际物质进行交互作用时，其速度减慢，终至完全停止。在太阳风低于音速的点称为终端震波；在它穿越日鞘时速度继续减慢并导引至称为日球层顶的边界，在那儿太阳风与星际物质的压力达到平衡。航海家一号在2004年横越终端震波，而航海家二号在2007年横越终端震波。
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犹太教希伯来圣经正典《塔纳赫》里把这些书卷分在两类里：
* 《前先知书》：约书亚记、士师记、撒母耳记上下、列王纪上下
* 《圣录（圣卷）》：路得记、历代志上下、以斯拉记、尼希米记、以斯帖记（此外《圣录》还包括《诗歌智慧书》和《但以理书》）
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