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在金属中由于有大量电子移动抵消外加电场，外加的电场能使金属表层的电荷分布发生改变。然而，在半导体中，正负电荷的密度较低，无法完全抵消外加电场，所以外加电场会在半导体材料表面附近改变材料的导电性，这被称为“场效应”。场效应应用于肖特基二极管，场效应晶体管（主要指的是MOSFET，JFET和MESFET）。
在外加电场的作用下，接近半导体表面一定深度下的电子能级发生改变，这导致了材料表面的导电性发生改变，也使得材料表面区域的电子能占有的能级发生变化。这种效应具有代表性的表征方式是“能带弯曲图”。能带弯曲图表征了材料表面的能带边界Ef, Ec, Ev与进入材料深度x之间的关系。
如右图所示一个典型的能带弯曲图。为了简化，能带中的能量单位是eV，电压的单位是V，避免了引入参数q作为单位电荷。右图中显示的是一个双层结构，左边是绝缘体层，右边是半导体层。一个使用类似结构的例子是MOS电容，一个双端的结构，一边是金属栅极端，一边是半导体材料（比如硅）端，中间夹着一层绝缘层（比如氧化硅）。右图中，左边的子图显示出了导带的最低能级（Conduction Edge）和价带的最高能级（Valence Edge）。这些能带在外加电压V的作用下发生弯曲。依照习惯，图中显示的是电子的拥有能量，所以一个正电压作用于半导体材料会使材料表面的能带向下弯曲。虚线表示的是能级占有情况费米能级Ef：低于Ef倾向于被电子占领，导带在外加电压作用下向下弯曲更加接近Ef，表明在接近绝缘层的地方导带中存在更多的电子。
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历任八路军120师直属队政治处主任、独立2旅政治部主任 、358旅政治部副主任、359旅南下支队直属政治处主任、河南军区第4军分区政治委员兼地委书记。1940年7月4日至5日于山西省兴县以东二十里铺参与奔袭伏击战。参加了晋西北反“扫荡”、百团大战和南下北返等作战。
1947年8月1日，以冀鲁豫军区独立第2旅和太岳军区决死第三纵队及第2、3军分区部队等部合编为晋冀鲁豫军区第八纵队（辖第22、23、24旅)，任二十三旅政治委员。冀鲁豫军区八纵二十三旅在1948年3月开始的临汾战役中，经二十七昼夜地面和地下奋战，于1948年5月17日19时许，成功以坑道做业爆破临汾城垣，二十三旅69团突击队率先攻入临汾城。1948年6月4日，肖新春获“光荣的临汾旅”的锦旗。
1949年2月，华北野战军第1兵团第8纵队23旅改编为华北军区第18兵团第60军179师，肖新春任179师政治委员。1949年4月，华北军区野战军第18兵团（辖第60、61、62军）划归第一野战军建制，任第60军179师政治委员。肖新春参加了临汾战役、晋中战役、运城战役、太原战役和进军大西南。
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李崧祥，字时望，号密岩，晚号恭川，南直隶池州府贵池县人，民籍。明朝进士、官员。
生于成化二十年甲辰六月二十五日。正德八年（1513年）癸酉科应天府乡试举人，九年（1514年）联捷甲戌科二甲第四名进士，授户部主事，累迁山东按察司佥事，嘉靖九年（1530年）十二月升山西按察司副使、备兵潞安，十三年三月升河南布政司右参政，赴任时，适逢上党青羊山贼作乱，抚按官员以崧祥有剿灭贼人的才能，特意将他留任，总领四道兵马，入山剿贼，剿平后设置平顺县，用以扼止山之要害。升浙江按察使，十五年闰十二月升江西右布政使，十六年七月升本司左布政使，调四川左布政使，进京入觐，劝谏停止采木之徭役，因忤执政者，致仕归乡。卒于嘉靖三十七年戊午十一月二十二日。著有《源头李氏文献存稿》、《恭川集》。
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