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在金属中由于有大量电子移动抵消外加电场,外加的电场能使金属表层的电荷分布发生改变。然而,在半导体中,正负电荷的密度较低,无法完全抵消外加电场,所以外加电场会在半导体材料表面附近改变材料的导电性,这被称为“场效应”。场效应应用于肖特基二极管,场效应晶体管(主要指的是MOSFET,JFET和MESFET)。
在外加电场的作用下,接近半导体表面一定深度下的电子能级发生改变,这导致了材料表面的导电性发生改变,也使得材料表面区域的电子能占有的能级发生变化。这种效应具有代表性的表征方式是“能带弯曲图”。能带弯曲图表征了材料表面的能带边界Ef, Ec, Ev与进入材料深度x之间的关系。
如右图所示一个典型的能带弯曲图。为了简化,能带中的能量单位是eV,电压的单位是V,避免了引入参数q作为单位电荷。右图中显示的是一个双层结构,左边是绝缘体层,右边是半导体层。一个使用类似结构的例子是MOS电容,一个双端的结构,一边是金属栅极端,一边是半导体材料(比如硅)端,中间夹着一层绝缘层(比如氧化硅)。右图中,左边的子图显示出了导带的最低能级(Conduction Edge)和价带的最高能级(Valence Edge)。这些能带在外加电压V的作用下发生弯曲。依照习惯,图中显示的是电子的拥有能量,所以一个正电压作用于半导体材料会使材料表面的能带向下弯曲。虚线表示的是能级占有情况费米能级Ef:低于Ef倾向于被电子占领,导带在外加电压作用下向下弯曲更加接近Ef,表明在接近绝缘层的地方导带中存在更多的电子。
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1989年由于王牌投手Dwight Gooden受伤,大都会的战绩受到影响,这也迫使球队展开部分重建,他们在6月18日将明星外野手Lenny Dykstra与Roger McDowell、Tom Edens一同交易到费城人队,换回日后贡献不多的Juan Samuel。该年战绩为87胜75败,在分区排名第二,落后第一名的小熊已高达6场胜差。Howard Johnson此年再度达成「30轰-30盗」(该季为生涯新高的41盗)。季后球队用Kip Gross与Randy Myers为代价,向红人交易来日后的主力终结者-John Franco。
1990年大都会的投手群表现可说是相当理想-左投Frank Viola投出20胜,负担249.2局为国联之冠;伤愈复出的Dwight Gooden投出19胜、并有223三振;David Cone贡献14胜,233次夺三振为国联最多;John Franco拿下33次救援点,生涯第二度赢得救援王,然而这几位投手的好表现还是无法带领球队重返季后赛,大都会最终以91胜71败的战绩结束球季。Darryl Strawberry在球季结束后选择投奔道奇队 。
1991年大都会只打出77胜84败的战绩,在分区排名第五,这也结束球队连续7年保持五成以上胜率的纪录。这季的两个亮点是David Cone投出241次三振连庄三振王,以及Howard Johnson生涯第三度达成「30轰-30盗」,而且38轰及117分打点都是国联最佳。
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