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光生伏打效应（英语：Photovoltaic effect），简称为光伏效应，是指受光线或其他电磁辐射照射的半导体或半导体与金属组合的部位间产生电压与电流的现象。光生伏打效应与光电效应密切相关，属内光电效应。在光电效应中，材料吸收了光子的能量产生了一些自由电子溢出表面。而在光生伏打效应中，由于材料内部的不均匀（例如当材料内部形成PN结时）在自建电场的作用下，受到激励的电子和失去电子的空穴向相反方向移动，而形成了正负两极。

光生伏打效应最早于1839年由法国物理学家亚历山大·爱德蒙·贝克勒尔发现。

在实际应用中的光能通常来自太阳能，这样的器件即是一般所指的太阳能电池。

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欠电势沉积 (Underpotential Deposition, UPD) 是指在平衡电位以上发生的Electrodeposition现象，其中最常见的是金属离子沉积为金属。

目前认为，欠电势沉积是发生沉积的金属M与电极表面的底物S之间强相互作用的结果。发生欠电势沉积的前提是M-S之间的作用力比起纯金属M的晶体中的M-M作用力更强。实验观察到的欠电势沉积主要是单层的，这为上面的机理提供了支持。

欠电势沉积在单晶表面比在多晶表面要显著得多。

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