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天然气输出国论坛举行了22次部长级会议:
举行GECF的首脑会议决定于2010年在奥兰举行的第十届部长级会议。第一个世界天然气输出国论坛峰会是在多哈举行的，时间2011年11月15日， under patronage of 埃米尔 酋长哈马德斌哈利法阿勒萨尼，第十三届部长级会议会议在同一地点举行（02011年11月13日）. 俄罗斯总统梅德韦杰夫发了言，说首脑会议“是一个重要事件，它标志着在全球能源行业的发展一个新的阶段，特别是在天然气行业。”
俄罗斯已表示愿意主办的世界天然气出口国论坛的第二次峰会。.
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矽锗（Silicon-germanium，缩写为SiGe），是一种合金，依矽和锗的莫耳比可以表示成SixGe1-x。常被用作积体电路（IC）中的半导体材料，可做成异质结双极性晶体管或CMOS电晶体中的应变诱发层（strain-inducing layer）。IBM公司于1989年在工业生产中引入了硅锗合金相关技术，这一新技术使混合讯号积体电路和类比积体电路的设计与生产多了一项选择。
使用传统的矽半导体器件制造技术，即可在晶圆上形成SiGe。在CMOS制程方面，SiGe制程的成本和矽制程相当，但在异质接面技术方面，SiGe制程的成本比砷化镓制程还要低。近来，使用有机金属气相磊晶 （MOVPE）沉积高纯度的含Ge薄膜、SiGe和应变矽时，会使用只有少量危害的液体来当做替代物，像有机锗化合物前体（如：异丁基锗烷、三氯锗烷、二甲氨基三氯锗烷）。
拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司：国际商务机器（IBM）、意法半导体（STMicroelectronics）、台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）、飞思卡尔（Freescale，原本的摩托罗拉半导体部门）、索尼（Sony）、Atmel、Chartered Semiconductor Manufacturing、Micrel、英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）、IHP、Jazz Semiconductor，原本的胜讯（Conexant）。超微半导体（AMD）有意加入IBM的SiGe应变矽技术开发计划，让技术迈入65nm级规模。
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贝西·科尔曼是一位美国民航飞行员。她是第一位获得飞行执照的非裔美国女性，也是第一位获得执照的美国原住民。她于1921年获得了国际飞行驾驶执照。她出生于德克萨斯州的一个佃农家庭，很小的时候就入棉田劳作，但也在一所小的隔离学校学习过，后来在兰斯顿大学上了一个学期的大学。她对飞行产生了兴趣，但是非洲裔美国人、美国原住民和女性在美国没有飞行训练机会，所以她攒了钱去法国成为一名持有执照的飞行员。她很快成为了美国一个成功的航展飞行员，并希望为非裔美国人的飞行员开办一所学校。1926年，她在试飞她的新飞机时死于飞机失事。她的开创性举动为早期飞行员以及非裔美国人和美洲原住民人群提供了启发。
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