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在金属中由于有大量电子移动抵消外加电场,外加的电场能使金属表层的电荷分布发生改变。然而,在半导体中,正负电荷的密度较低,无法完全抵消外加电场,所以外加电场会在半导体材料表面附近改变材料的导电性,这被称为“场效应”。场效应应用于肖特基二极管,场效应晶体管(主要指的是MOSFET,JFET和MESFET)。
在外加电场的作用下,接近半导体表面一定深度下的电子能级发生改变,这导致了材料表面的导电性发生改变,也使得材料表面区域的电子能占有的能级发生变化。这种效应具有代表性的表征方式是“能带弯曲图”。能带弯曲图表征了材料表面的能带边界Ef, Ec, Ev与进入材料深度x之间的关系。
如右图所示一个典型的能带弯曲图。为了简化,能带中的能量单位是eV,电压的单位是V,避免了引入参数q作为单位电荷。右图中显示的是一个双层结构,左边是绝缘体层,右边是半导体层。一个使用类似结构的例子是MOS电容,一个双端的结构,一边是金属栅极端,一边是半导体材料(比如硅)端,中间夹着一层绝缘层(比如氧化硅)。右图中,左边的子图显示出了导带的最低能级(Conduction Edge)和价带的最高能级(Valence Edge)。这些能带在外加电压V的作用下发生弯曲。依照习惯,图中显示的是电子的拥有能量,所以一个正电压作用于半导体材料会使材料表面的能带向下弯曲。虚线表示的是能级占有情况费米能级Ef:低于Ef倾向于被电子占领,导带在外加电压作用下向下弯曲更加接近Ef,表明在接近绝缘层的地方导带中存在更多的电子。
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普莱讷蒙(Plainemont,plɛnmɔ̃)是法国上索恩省的一个市镇,属于吕尔区。
(P625)面积P2046,位于法国勃艮第-弗朗什-孔泰大区上索恩省,该省份为法国东部内陆省份,北起顺时针与孚日省、贝尔福地区省、杜省、汝拉省、科多尔省和上马恩省接壤。
与接壤的市镇(或旧市镇、城区)包括:P47。
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1965-1971年,1975-1977年,1977-1978年,1979-1980年及1991-1993年间,曾经七度出任土耳其总理。
他和共和人民党前领袖伊斯麦特·伊诺努和比伦特·埃杰维特,在1960年代,一直至1990年代,是长期的政治对手。
2015年6月17日,他因呼吸道感染引发心脏衰竭而病逝。
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