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在金属中由于有大量电子移动抵消外加电场，外加的电场能使金属表层的电荷分布发生改变。然而，在半导体中，正负电荷的密度较低，无法完全抵消外加电场，所以外加电场会在半导体材料表面附近改变材料的导电性，这被称为“场效应”。场效应应用于肖特基二极管，场效应晶体管（主要指的是MOSFET，JFET和MESFET）。
在外加电场的作用下，接近半导体表面一定深度下的电子能级发生改变，这导致了材料表面的导电性发生改变，也使得材料表面区域的电子能占有的能级发生变化。这种效应具有代表性的表征方式是“能带弯曲图”。能带弯曲图表征了材料表面的能带边界Ef, Ec, Ev与进入材料深度x之间的关系。
如右图所示一个典型的能带弯曲图。为了简化，能带中的能量单位是eV，电压的单位是V，避免了引入参数q作为单位电荷。右图中显示的是一个双层结构，左边是绝缘体层，右边是半导体层。一个使用类似结构的例子是MOS电容，一个双端的结构，一边是金属栅极端，一边是半导体材料（比如硅）端，中间夹着一层绝缘层（比如氧化硅）。右图中，左边的子图显示出了导带的最低能级（Conduction Edge）和价带的最高能级（Valence Edge）。这些能带在外加电压V的作用下发生弯曲。依照习惯，图中显示的是电子的拥有能量，所以一个正电压作用于半导体材料会使材料表面的能带向下弯曲。虚线表示的是能级占有情况费米能级Ef：低于Ef倾向于被电子占领，导带在外加电压作用下向下弯曲更加接近Ef，表明在接近绝缘层的地方导带中存在更多的电子。
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褙子，又作背子，汉服、韩服及越服样式之一，为一种外罩式衣，对襟样式，两侧开叉，为女性穿著。最早出现在晚唐时期，半截袖子且衣身不长。宋代流行，改半截短袖为长袖，加长衣身；前后襟不缝合，而是在腋下和背后缀有带子。后传至朝鲜 (称谓)的高丽王朝以及越南的后黎朝。
褙子为长袖，衣身长短不一，短者只到腰部，长者近与裙齐，可作为外套穿于襦裙之外，亦可直接穿在内衣之外代替上衣。可作为常服、便服穿著。
在中国，明代之后演变成披风，并传至朝鲜王朝和越南第三次北属时期。在越南黎中兴朝之后，褙子在当地又演变成四身袄。
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潘斯濂，字兆瑞，别字莲舫。广东省南海县人。清朝政治人物。
潘斯濂于道光二十七年（1847年）考中丁未科二甲第三十名进士。选翰林院庶吉士，散馆授翰林院编修。同治三年（1864年），任江南道监察御史。同治六年（1867年）充丁卯恩科顺天乡试同考官，历任光禄寺少卿、山东学政。光绪元年（1875年）典乙亥恩科四川乡试，次年典丙子恩科浙江乡试。光绪五年（1879年），任奉天府府丞，兼任奉天学政。光绪七年（1881年）卒于任上。
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