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使用传统的矽半导体器件制造技术，即可在晶圆上形成SiGe。在CMOS制程方面，SiGe制程的成本和矽制程相当，但在异质接面技术方面，SiGe制程的成本比砷化镓制程还要低。近来，使用有机金属气相磊晶 （MOVPE）沉积高纯度的含Ge薄膜、SiGe和应变矽时，会使用只有少量危害的液体来当做替代物，像有机锗化合物前体（如：异丁基锗烷、三氯锗烷、二甲氨基三氯锗烷）。
拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司：国际商务机器（IBM）、意法半导体（STMicroelectronics）、台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）、飞思卡尔（Freescale，原本的摩托罗拉半导体部门）、索尼（Sony）、Atmel、Chartered Semiconductor Manufacturing、Micrel、英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）、IHP、Jazz Semiconductor，原本的胜讯（Conexant）。超微半导体（AMD）有意加入IBM的SiGe应变矽技术开发计划，让技术迈入65nm级规模。
2015年七月，IBM公司宣布通过SiGe工艺制成了7 nanometer级晶体管，有望使晶体管的产量上升三倍。
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1916年，拉莱出生于匈牙利王国的克龙帕希，出生时姓氏为艾森伯格。1942年4月，拉莱成为第一批被送入奥斯威辛集中营的犹太人之一。刚一进入集中营，他就被纹上了他的编号32407。一开始，他的工作是修建不断扩充的营房，但是不久他就染上了伤寒。为他纹上编号的Tattoo artist，法国人裴潘（Pepan），将他收留在身旁加以照顾，让其病愈后作为助手工作。大约四周后，裴潘消失了，拉莱取代了裴潘的角色，成为集中营中最主要的纹身师。就这样，拉莱开始在党卫队护卫监控下为Politische Abteilung工作。他的这一工作意味着他“较之其他囚犯离死亡远了一步”，同时还能获得单间、额外的食物配给、工作完成后的自由活动时间等好处。
1942年7月，拉莱在为一群女性囚犯纹身时，遇见了其中的吉塞拉·吉塔·福曼，并为她纹上了她的编号34902。拉莱利用他相对特殊的身份，通过他的党卫队护卫为吉塔送去了信件、额外食物，为她谋取较好的工作岗位。拉莱还参与了集中营内外的地下交易，协助囚犯用珠宝和当地人交换食物。
1945年1月25日，奥斯威辛集中营解放前夕，拉莱被转移到毛特豪森－古森集中营。最终，拉莱逃出了集中营，并回到了他当时属于捷克斯洛伐克的家乡。拉莱只知道吉塔的全名，但还是来到了幸存者返乡的必经之地布拉迪斯拉发寻找，直至几周之后两人在街头偶然相遇。两人于1945年10月结婚，并将姓氏改为斯拉夫语姓氏索科洛夫，以便更好的融入苏联控制的捷克斯洛伐克。婚后，拉莱在布拉迪斯拉发经营纺织品生意。由于拉莱为以色列建国提供经济支持，政府没收了他的产业并将其监禁起来。尽管他很快被释放，但他被警告应当立刻离开捷克斯洛伐克。拉莱和吉塔通过维也纳和巴黎辗转离开欧洲，于1948年在墨尔本定居。
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