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更新于 2026-10-06

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欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线(I-V curve)的区域。如果电流-电压特性曲线不是线性的,这种接触便叫做肖特基接触。典型的欧姆接触是溅镀或者蒸镀的金属片,这些金属片通过光刻制程布局。低电阻,稳定接触的欧姆接触是影响集成电路性能和稳定性的关键因素。它们的制备和描绘是电路制造的主要工作。

任何两种相接触的固体的费米能级(Fermi level,或者严格意义上,化学势)必须相等。 费米能级和真空能级的差值称作功函数。接触金属和半导体具有不同的功函数,分别记为和。当两种材料相接触时,电子将会从低功函(高Fermi level)一边流向另一边直到费米能级相平衡。从而,低功函(高Fermi level)的材料将带有少量正电荷而高功函(低Fermi level)材料则会变得具有少量负电荷。最终得到的静电势称为内建场记为。这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和热电效应等的潜在原因。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。

在经典物理图像中,为了克服势垒,半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能级跳到弯曲的导带顶。穿越势垒所需的能量是内建势及费米能级与导带间偏移的总和。同样对于n型半导体,当中是半导体的电子亲合能(electron affinity),定义为真空能级和导带(CB)能级的差。对于p型半导体,其中是禁带宽度,e是基本电荷。当穿越势垒的激发是热力学的,这一过程称为热发射。真实的接触中一个同等重要的过程既即为量子力学隧穿。WKB近似描述了最简单的包括势垒穿透几率与势垒高度和厚度的乘积指数相关的隧穿图像。对于电接触的情形,耗尽区宽度决定了厚度,其和内建场穿透入半导体内部长度同量级。耗尽层宽度可以通过解泊松方程以及考虑半导体内存在的掺杂来计算:

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(P625)面积P2046,位于法国勃艮第-弗朗什-孔泰大区上索恩省,该省份为法国东部内陆省份,北起顺时针与孚日省、贝尔福地区省、杜省、汝拉省、科多尔省和上马恩省接壤。

与接壤的市镇(或旧市镇、城区)包括:P47。

的时区为UTC+01:00、UTC+02:00(夏令时)。

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961年,挪威国王灰袍哈拉尔派人杀害他的父亲后,哈康·西居尔松成为拉德伯爵。哈康·西居尔松与国王哈拉尔二世战斗了一段时间后,他被迫逃往丹麦,在那里哈康伯爵与蓝牙王哈拉尔联合共谋打击灰袍哈拉尔。

970年,哈拉尔二世被骗到丹麦并在利姆海峡的哈尔斯遇害,这是由哈康·西居尔松策划的。灰袍哈拉尔幸存的兄弟在哈拉尔二世去世后逃离该国。随着灰袍哈拉尔的去世,蓝牙王哈拉尔从新掌控挪威,他支持哈康·西居尔松作为他的附庸国王,统治他的新丹麦封地。哈康伯爵和幸存的哈拉尔二世的兄弟爆发内战,但哈康伯爵最后获得胜利。在此之后,哈康伯爵统治挪威作为蓝牙王哈拉尔的附庸,但他实际上是一个独立的统治者。另一方面,蓝牙王哈拉尔于同年袭击约塔兰并杀死当地统治者Ottar Jarl。

973年-974年,哈康伯爵前往丹麦帮助蓝牙王哈拉尔防御神圣罗马皇帝奥托二世的攻击。奥托二世的部队成功地抵挡蓝牙王哈拉尔的反抗,并将其击败。此后,哈康伯爵再没有向丹麦缴税。

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