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王叔英，字原采，号静学，黄岩亭岭（今太平小河头村）人。
洪武年间与杨大中、叶见泰、方孝孺一同被征召，洪武二十年（1387年）被推荐为仙居训导，改德安教授。迁汉阳知县，有德政。学醇行正，与方孝孺为至交。建文时，召为翰林修撰，并荐杨士奇入翰林。
靖难之役时，叔英奉旨到安徽广德募兵。建文四年（1402年）六月十三日燕兵陷南京，建文帝下落不明，叔英自缢于广德祠山玄妙观银杏树下，由道士盛希年葬于祠山之麓。两个女儿投井自尽，“二女井”为纪念王叔英的女儿而建。成化十年（1474年）进士周瑛重修王公墓，“坟墓陵夷，鞠为邱莽，所可识别者，仅有杨公之碑而已。”又作《修撰王公墓记》。
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2015年七月，IBM公司宣布通过SiGe工艺制成了7 nanometer级晶体管，有望使晶体管的产量上升三倍。
SiGe材料可让异质接面双极性电晶体整合进CMOS逻辑积体电路，达成混合讯号电路的功能。异质接面双极性电晶体比起同质接面双极性电极体，拥有高顺向增益、低逆向增益、低电流和较好的高频特性等优点。但在异质面技术中，与仅使用硅的技术相比，SiGe这种化合物半导体更容易进行能带调节。
绝缘体上矽锗（Silicon-germanium-on-insulator，缩写为SGOI）是一项类似绝缘体上矽（Silicon-on-insulator，缩写为SOI）的技术，现今被运用在电脑的晶片。SGOI技术可以增加原子间的距离，加快电流流动的速度，以提高微晶片中电晶体的速度。
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吕三才，字子参，号位吾，山东青州府临朐县吕家庙人，军籍，明朝政治人物。
隆庆四年（1570年）庚午科山东乡试第四十三名举人，五年（1571年）联捷辛未会试第一百九十五名，殿试二甲第五十二名进士。初任南京户部江西司主事，历陕西西安府知府。官至山西布政使司右参政、分巡冀北道兼按察司佥事，拟起为左布政使，病卒。能诗文。
曾祖吕恒；祖父吕现；父吕金，母阎氏。具庆下。兄吕三省，弟吕三聘、吕三乐、吕三策、吕三畏。
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